首页|国学书库|影印古籍|诗词宝典|精选|汉语字典|汉语词典|部件查字|书法大师|甲骨文|历史人物|历史典故|年号|姓氏|民族|丛书|中医|软件下载
译文|四库全书|全文检索|古籍书目|正史|成语词典|康熙字典|说文解字|字形演变|金 文|历史地名|历史事件|官职|知识|对联|印谱|地图|会员中心
化学式InAs。一种化合物半导体材料。为有似金属外观的单晶。高毒性。熔点943℃。不溶于酸。由铟和砷在高温下合成并拉制而成。具有比砷化镓高的迁移率。用于制较好温度特性的霍耳元件，也是磁阻元件的主要材料。
