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硅器件和集成电路的一整套优越的制备工艺的总称。特点是:由外延、氧化、光刻、扩散等工艺制成器件和电路,芯片表面基本呈平面状,各电极都在该平面上引出;在平面工艺的全部过程中,芯片表面有二氧化硅层保护,避免了对PN结的沾污,制成的器件和电路有良好的稳定性和可靠性。广泛应用于硅器件和集成电路的研制和生产中。